半導体デバイス製造に関するプロセス・装置について話せます
直近では、半導体専門商社の相談役として、客先への同行も承っております。
元々、半導体製造では配線工程の担当でした。ほかにも研究者として、TFTや化合物半導体トランジスタ素子の研究開発も経験し、前工程を含む素子全般のプロセス・装置・材料についてお話しできます。
■どちらで、いつごろ、何年くらいご経験されましたか?
1.コインバンク株式会社/経営コンサルタント/6年目
半導体専門商社の相談役。製造業の半導体製造関連事業への進出についてコンサルティングし、ものづくり補助金、事業再構築補助金の申請サポートを行っています。(Si半導体、化合物半導体(GaN)、プロセス、工場設備・施設)
2. 2015年1月-2018年3月 Texas Instruments - アナログシリコントランジスタ製造ラインのプロセスエンジニア
地域: 茨城県美浦
役割: 半導体製造ラインの生産技術(配線工程、CVD、エッチング、基板洗浄、アニール、フォトリソグラフィ)
規模: 500人(美保工場)
3.2011年4月-2014年12月 豊田合成株式会社 - インバーター用GaNパワートランジスタ研究開発設備立ち上げ、プロセス開発
地域: 愛知県稲沢市
役割: 研究開発チームのリーダー(GaNトランジスタ製造ライン立ち上げ、ALD、CVD、エッチング、基板洗浄、アニール、フォトリソグラフィ、コーターデベロッパー、酸洗浄、廃液処理、消防法、労働基準法、劇毒物)
規模: 研究開発から試作ラインの立ち上げ(40人規模)、自チームは8名
4.2009年4月-2011年4月 産業技術総合研究所(AIST) - 高機能ロジック向けInGaAsトランジスタの製造プロセス開発
地域: 茨城県つくば市
役割: ポストドクターとしてテーマの立案から成果発表(学会発表・論文発表)まで(ALD開発、InGaAsトランジスタ製造、レジスト検討、SEM、TEM、STM、RHEED、エリプソメトリー(分光器)、エッチング、アッシング)
規模: AIST5人(プロジェクト全体は約30名、大学院生含む)
■得意な分野・領域はなんですか?
・アナログデバイス向けシリコンチップ、GaNデバイス(パワーTr、LED)、薄膜トランジスタの製造プロセス・装置・材料について
・半導体製造装置の仕様策定から立ち上げ(業者のコンペ含む)
・半導体製造プロセスの開発、特許出願まで
■一番誇りに思う成果はなんでしたか?
Texas Instruments - 五年間停滞していた、装置立ち上げのプロジェクトを、1週間で組み直し、3か月後には軌道に乗せたこと。
豊田合成株式会社 - 2年で5億円分のプロセス装置を導入し、プロセス特許取得まで達成したこと。
産業技術総合研究所(AIST) - IEEEのIEDMで学会発表したこと(当時、AISTのデバイス部門からは2人しか採択されず、そのうちの一人となった)
■この分野は今後どうなると思いますか?
半導体産業はAI需要により、長年破られなかったDRAMを越える市場が誕生しました。そのほかにもIoTやVRをはじめとする新アプリケーションや既存産業において、需要に当面の上限はないと考えています。
■参考文献
【特許】
特許公開2013-16792
他3件
【Doctoral thesis】
Low Temperature Fabrication Technologies of Thin Film Transistor by Remote Oxygen Plasma Treatment
【Other related articles】
1.AIST(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)
(1) 9 co-authors
“Correlation between Channel Mobility Improvements and Negative Vth Shifts in III-V MISFETs:Dipole Fluctuation as New Scattering Mechanism”
Electron Devices Meeting (IEDM), 2010 IEEE International. 6.5.1 - 6.5.4
2 publications as a author, and 21 publications as a co-author.
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このエキスパートのトピック
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コンサルティング契約や実務の実態についてについて話せます
問い合わせ■背景 個人事業主から従業員100名、売上高40億円までの会社を対象にコンサルティングを行ってきました。 中小企業との契約、経営サポートの実態についてお話しいたします。 ■話せること ・ファーストコンタクトから契約まで ・コンサルティング業務におけるオンライン/オフラインの調整・進め方など ・管理会計を軸とした資金繰りサポートについて 補助金・助成金、財務管理、販売管理、人事管理、生産管理など ・中小企業の決済のプロセス ・リソース不足による停滞業務の解決方法 ECサイト立ち上げ・運用 ・DX導入サポートの実態 他にも、実地で経験を積んだからお話しできる内容をご相談いただけます。
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AI(人工知能)の基礎から現在の開発・市場動向について話せます
問い合わせ■話せること ・直近の業務で得た、中小企業、フリーランスなどの小規模な人工知能への取り組み 動物の行動分析による病気の検知システム(動物病院)、画像・動画の開発動向(AIアイドル、AIアニメ、AI実写(美女)、ディープフェイク)など ・google GeminiとChatGPTの比較・将来性など ・協会のコミュニティで国内外の先端AI開発動向や、マーケット情報を取得できます。 ・米国の大手IT企業でもAIのマネタイズに苦心している昨今、AI関連サービスのビジネスアイディアについてご相談いただけます。 ・具体的にAI関連事業を起こされる場合、中長期の経営計画策定から実施までサポートする案をご紹介できます。 ■背景 起業の際、半導体技術者として培った技術・解析スキルをビジネスに活かせると思いAIの資格※を取得しました。 また、自社のサービスとして「小規模AI導入・活用サービス」が経営革新計画に採択されました。 ※一般社団法人ディープラーニング協会 G検定 ■一番誇りに思う成果はなんでしたか? 半導体研究者として培ったスキルが、AI分野でも活かせることに気づき、短期間で自社サービスの立上げに成功したこと。 ■この分野は今後どうなると思いますか? 半導体産業はAI需要により、長年破られなかったDRAMを越える市場が誕生しました。そのほかにもIoTやVRをはじめとする新アプリケーションや既存産業の刷新において、AI需要に当面の上限はないと考えています。
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TFTデバイス(LCD、OLED、タッチパネルなど)について話せます
問い合わせ■話せること ・技術関連 TFTの基本的な技術動向とLSIとの違いなど(自著の博士論文あり) ・マーケット ディスプレイやタッチパネルを中心とした商品化されたTFT関連技術について ・将来期待される商品 生体ディスプレイなど、TFTの低温形成技術の発展により、さまざまなアプリケーションの可能性が生まれています。 その中でも有力と思われるものをご紹介できます。 ■背景 工学博士の博士論文はTFTの低温形成(参考文献)がメインテーマだったため、当時の技術から現在まで、フォローしています。 TFT製造装置業界に参入を計画している事業者様から補助金申請サポートも受託しました。 ■この分野は今後どうなると思いますか? TFTデバイスは、トランジスタを様々な基板(ガラス、プラスチック、フィルムなど)の上で実装するという技術的特性から、非常にアプリケーションが広がる可能性が高くなります。そのため、TFTをコアコンピタンスとして様々な事業展開できるビジネスモデルは非常に前途有望なのではないでしょうか。 日本は、一度はアジア勢にビジネス基盤を奪われましたが、その基幹技術や製造装置、材料技術において高い競争力を維持しています。コンシューマー向け商品の開発を国内で行えれば、再び世界の主要プレーヤーとなることも可能だと思います。 ■参考論文 博士論文:Low Temperature Fabrication Technologies of Thin Film Transistor by Remote Oxygen Plasma Treatment 他4件 (1)“Improvement in Structural and Electrical Properties of SiO2 Films Formed by Sputtering Method” Proc in 4st Thin Film Material & Devices Meeting (Kyoto, 2007) 173-175 (2)“Polysilazane Precursor Used for Formation of Oxidized Insulator” Proc in 4st Thin Film Material & Devices Meeting (Kyoto, 2007) 183-185 (3)“Polysilazane Precursor Used for Formation of Oxidized Insulator” Proc in Material Research Society Spring Meeting (San Francisco, 2008) A 5.2 (4)“Improvement in SiO2 Film Properties Formed by Sputtering Method at 150oC” Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) 8003-8006.