半導体、金属、誘電体薄膜やTCOの成膜技術・量産装置について話せます
¥34,000~■ 具体的な経験の内容 １）化合物半導体の成膜装置の開発（熱CVD法） ２）プラズマCVD装置の成膜技術の開発（誘電体薄膜） ３）リールツーリールのスパッタ成膜の高速成膜技術の開発（金属厚膜） ４）ガラス基板へのｐSi、TCO（透明導電性膜）の高速成膜技術の開発（熱CVD） ■ 実績や成果 １）化合物半導体のエピ膜の製造にMOCVD装置を業界では早期に導入し、衛星用のデバイスに採用された。 ２）安価な装置で膜質の良い光通信用のAR膜の製造技術を確立した。 ３）メッキに対抗するための貴金属の高速成膜を実現した。 ４）一次元基板を用いて、真空性成膜法に比べて1,000倍以上の高速成膜技術を開発した。 ■ そのときの課題、その課題をどう乗り越えたか １）装置内が成膜によって汚染されるため洗浄をする必要があり、そのたびに半導体の特性が悪化してしまうのを防止するために、成膜室を大気に解放せずにクリーニングできる独自の装置を開発し解決した。 ２）緻密な膜質とするために複数のプラズマパラメータを組み合わせて独自に管理パラメータを探して、安定な成膜を確立した。 ３）熱によるダメージを低減できる成膜方法を開発して高速成膜と膜質の両立を達成した。 ４）小型で安価な装置をナンバリングアップして量産を行う方法（従来は大面積化、大型化により装置が効果となっていた）を基板の開発と合わせて開発することで、局所・超高速成膜技術による新たな成膜方法・装置を、最新の高速プロセスを研究をしている大学の先生方と連携して開発した。NEDOの委託事業で要素技術の開発を行った。 ■ 業界構造（トレンド/主要プレイヤー/バリューチェーン等）の知見の有無 ある態度は理解している。 ■ 関連する論文やブログ等があればURL 特許出願を多数行っている。 ■ お役にたてそうと思うご相談分野 CVDやPVDに関しては、色々な材料と用途に応じて適した方式を選定し成膜プロセスと装置の開発を行いました。また、製造メーカの設備開発部門として製造装置の開発をしてきており、歩留まりが高い成膜装置、差別化できる製品を作れる装置を目指してきました。そのような知見は、PVD・CVD装置を使って新規に製品開発を行う研究開発部門の方や、そのような装置を製造ラインに初めて導入する生産技術部門や製造部門の方々のお役に立てると考えています。 ■その他 地域: 千葉県 役割: 担当として装置開発、課長、部長としてリールツーリール方式の成膜方法の開発 規模: 単体は3,800人程度