半導体製造にて発生する排ガス処理装置について話せます

■背景
大量の廃水素を排出する半導体デバイス製造装置（エッチング、成膜、洗浄工程）で排出される場合があります。

・ LSI (Large-Scale Integration)
高度なプロセッサ、SoC（システムオンチップ）製造工程において廃水素排出の要因: 微細プロセスのエッチングおよび成膜工程で水素系ガスを多用する。特徴: ナノメートルプロセス技術が主流であり、化学反応の際に大量の副生成物（廃水素を含む）が排出される。
・メモリー（DRAM、NANDフラッシュ）
スマートフォン、サーバーにおいて廃水素排出の要因: 化学気相成長（CVD）、プラズマエッチングで水素化物ガスが使用される。高集積度プロセスが廃水素の発生を加速。
・パワー半導体（SiC、GaN、Si）
用途: EV（電気自動車）、パワーエレクトロニクス
廃水素排出の要因: 高温CVDプロセスで水素がキャリアガスとして用いられる。高耐久性を求めるため成膜時に水素環境下が必要な場合が多い。
・ディスクリート半導体（トランジスタ、ダイオード）
汎用電子部品
廃水素排出の要因: ウェハプロセスの初期段階で水素系ガスを使用する場合がある。プロセス自体はシンプルだが、大量生産ラインでは累積的に廃水素が発生。
・ソーラーパネル（太陽光発電用半導体）
再生可能エネルギーのいて廃水素排出の要因: シリコンウェハ形成時のCVD成膜、アモルファスシリコンのプロセス。大面積処理工程でのガス使用量が多い。
・その他の半導体デバイス
センサー系デバイス: MEMS、CMOSセンサーではエッチング工程での水素排出がある。GaNやInPベースのLED製造で、成膜プロセス時に水素キャリアガスを使用している。
高周波デバイス: GaAs系トランジスタでは水素含有ガスがプロセスガスとして使われる。

■話せること
・大量の廃水素を排出する半導体デバイスの種類について
（LSI、メモリー、パワー半導体、ディスクリート、ソーラーパネル等）
・半導体製造で発生する排ガスの処理装置の種類と処理方法
・既に半導体の排ガス（廃水素等）を再エネ利用について
・排ガス処理用の各種スクラバの特徴と価格、競合、トレンドについて