半導体SiCの技術開発状況と市場の見通しについて話せます

エキスパート

氏名:開示前


■背景
☆半導体材料の基礎研究から製品開発、生産技術開発に至るまで30年以上携わってきました。
☆特に、パワー半導体デバイスの材料として注目されている炭化珪素(SiC)の開発と事業化に関して、国内外の幅広いネットワークを持っております。
☆現在も、いくつかの半導体メーカー様、装置メーカー様、素材メーカー様に対するコンサルティング業務を遂行中です。
☆欧州との共同研究にも参加しており、最先端のSiC開発に貢献しております。
☆大学などの研究機関とも共同研究などを通した密接な協力関係があり、先端技術開発の動向を把握しています。

■話せること
☆ワイドバンドギャップ半導体(特にSiC)の基板材料技術やデバイスの現状について、技術面、ならびに事業面から総合的に解説いたします。
☆特に、新規参入を検討している企業様に対して、事業戦略や技術開発の指針を提案いたします。
☆必要があれば、英文資料を用いたうえで、英語での解説も可能です。

■その他
☆クライアント企業様の有形・無形のリソースをアセスメントしたうえで、最適な事業計画と技術開発計画を提示してきました。実際に、この計画に沿った事業開発が進展しており、企業買収につながった事例もあります。
☆クライアント様とともに、国内外にて権利化した知的財産は15件以上です

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職歴

職歴:開示前

謝礼金額の目安

¥37,000 / 1時間

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