半導体(メモリ)における研究開発の経験について話せます

謝礼金額の目安(1時間あたり) 15,000

経験内容

  • 半導体(メモリ)
  • 研究開発

地域

京浜地区・米国(駐在による他社との共同開発)

役割

研究開発のリードエンジニア

規模

基礎研究から生産技術開発まで

期間
1983年 〜 2004年頃

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その他スポットコンサル時のFAQ

氏名:非公開

職歴:非公開


一貫して半導体プロセスの開発や生産技術に従事。カバーエリアは、Si系では、メモリからロジック、パワーデバイス。化合物は、LED(特にGaN系)フォトダイオード、レーザーなどの半導体素子の製造工程に精通している。他社(米国、ドイツ、日本)の多くの半導体メーカー、および材料メーカー、装置メーカーとの共同開発も経験しており、近年は技術援助業務も数回行っており、広範で深い知識を持つことが特徴。特に専門性が高い分野は、メタライゼーション(CVD、PVD、めっき、多層配線プロセス)、薄膜形成技術、ドライエッチング等。 企画部門では、事業部の戦略企画、他社ベンチマーキング等の経験もしている。品質工学分野では、上級ブラックベルトの資格を持ち6シグマや各種品質工学手法への知識や指導力も有す。 米国駐在経験は3年半で、英語でのコミュニケーションもビジネス英語レベルで実行できる。

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