半導体(パワー)における研究開発の経験について話せます

エキスパート

氏名:開示前


ハイブリッド車用パワー半導体開発。
IGBT, SiC,GaNなどのデバイス開発、量産とその応用。
部長経験5年間(部員400名)。
学会活動(電気学会、自動車技術会、IEEEなど)の経験あり。
海外駐在経験はないが、海外での講演・技術発表・オーガナイザー経験多数。
工学博士。

■その他
地域: 日本
役割: 製品開発/研究/マネジメント
規模: 部長時代は社外戦力含め400名程度

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氏名:開示前

30年以上にわたり、トヨタ自動車にて内製電子部品並びに内製車載用半導体開発に携わってまいりました。入社後、電子制御パワーステアリングのECU設計を担当した後、内製半導体開発プロジェクト発足に伴い立ち上げメンバーとして異動、半導体プロセス、デバイス開発を担当。BiCMOSやBiCDMOS等の制御用IC用デバイスやパワーMOS開発担当後、ハイブリッド車用IGBT開発を担当いたしました。現在はSiCやGaNなどの新材料パワー半導体の研究開発プロジェクトやその応用を担当しております。現在は内製半導体技術開発全般の指揮、SiC, GaN新材料半導体開発とその車載応用、次世代パワーモジュールの開発を担当する傍ら、社外では業務に関連する国プロの委員や開発リーダーを担当すると共に、パワー半導体やパワーエレクトロニクス関連の学会委員なども多数拝命しております。博士(工学)。
2019年5月をもちましてトヨタ自動車を退職。合同会社PDプラスを設立し、コンサルタントとして日中で活動しております。


職歴

合同会社PDプラス

  • 代表 2019/6 - 現在

Toyota Motor Corporation

  • Project General Manager 1987/1 - 2019/5

謝礼金額の目安

¥30,000 / 1時間

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